[发明专利]用于具有减少的掩模数目的金属氧化物薄膜晶体管的射线照相成像阵列制备工艺

说明书

射线照相成像系统、射线照相检测器和使用射线照相检测器的方法和/或其制造方法的实施方案可包含射线照相成像阵列，所述射线照相成像阵列可包含各自包含耦合到薄膜开关元件的光电转换元件的多个像素。在某些示例性实施方案中，薄膜开关元件是使用减少的光刻掩模数目制造的金属氧化物(例如，a‑IGZO)TFT。在某些示例性实施方案中，所述薄膜开关元件是在TFT电极之间包含减小的较低对准容限的金属氧化物(例如，a‑IGZO)TFT。在某些示例性实施方案中，所述薄膜开关元件是包含减小厚度的有源层的金属氧化物(例如，a‑IGZO)TFT。

技术领域

本发明大体上涉及辐射转换设备的领域，且明确地说涉及医学射线照相成像和数字射线照相(DR)检测器，且更明确地说涉及使用例如无序金属氧化物半导体等非单晶半导体材料作为有源层的薄膜晶体管(TFT)的制备工艺。

发明背景

薄膜晶体管(TFT)被用作当前大型电子设备的基本构建块中的一者。非晶硅(a-Si)TFT通常充当大型液晶显示器(LCD)和大型平板成像器(FPD)的电开关；它们在大型电子设备制备的技术中是众所周知的。典型的TFT具有三个端子：栅极、源极和漏极。大部分电荷载流子通过半导体层(称作有源层)在源极端子和漏极端子之间流动。源极端子和漏极端子之间的半导体层的导电程度受栅极端子的电位控制。源极端子和漏极端子通常通过负责主要导电电流的载流子的类型来识别。另外，TFT可制造成几何对称的且因此源极和漏极之间的区分仅仅通过其电位差和晶体管用来导电的电荷载流子的类型来进行。因此，两个端子经常一起被称作源极/漏极(SD)端子。为了本申请案的目的，源极端子和漏极端子没有被单独识别为不同的，但这无意限制本申请案的范围。

对于大型射线照相成像阵列，TFT通常用作射线照相成像阵列内的像素中的开关元件。对于本领域技术人员来说，很明显，开关元件以及可组成元件的材料的类型存在众多其它可能的选择。需要改善大型射线照相成像阵列中包含的TFT、数字射线照相(DR)检测器的性能特性和使用数字射线照相检测器的方法。

发明概要

本申请案的一方面促进医学数字射线照相的技术。

本申请案的另一方面完全或部分地解决至少现有技术中的上述和其它缺陷。

本申请案的另一方面完全或部分地提供至少本文中描述的优点。

本申请案的一方面提供解决和/或减少由使用便携式(例如，无线)数字射线照相(DR)检测器和/或使用便携式数字射线照相检测器的射线照相成像设备引起的缺点的方法和/或设备。

本申请案的一方面提供可在用于TFT的制备工艺中减少处理操作的数目或使用较低光刻掩模数目的射线照相成像设备和/或用于制造射线照相成像设备的方法。

本申请案的一方面提供可针对TFT使用较小对准容限或减小TFT电极之间的对准容限的射线照相成像设备和/或方法。

本申请案的一方面提供可减少用于TFT装置的光刻掩模数目或光刻掩模步骤，在TFT电极之间要求较低对准容限，和/或在TFT装置中使用减小厚度的有源层的射线照相成像设备制备工艺。

本申请案的一方面提供可减小可妨碍射线照相成像阵列中使用的TFT装置的动态性能的寄生电容的射线照相成像方法和/或设备。