[发明专利]控制III-V型半导体器件中的晶片弯曲度的方法

摘要

本发明公开了控制III‑V型半导体器件中的晶片弯曲度的方法。提供具有主表面的IV型半导体衬底。在该IV型半导体衬底上方形成包括二维载流子气的III‑V型半导体沟道区域。在IV型半导体衬底和III‑V型半导体沟道区域之间形成III‑V型半导体晶格过渡区域，其被配置为减轻由于晶格失配而产生的机械应力。该III‑V型半导体晶格过渡区域包括在IV型半导体衬底上方形成的第一晶格过渡层，该第一晶格过渡层具有第一浓度的第一III族元素，在第一晶格过渡层上方形成的第二晶格过渡层，该第二晶格过渡层具有高于第一浓度的第二浓度的第一III族元素；以及在第二晶格过渡层上方形成的第三晶格过渡层，该第三晶格过渡层具有低于第一浓度的第三浓度的III族元素。

主权项

1.一种形成III‑V型半导体器件的方法，所述方法包括：提供包括主表面的IV型半导体衬底；在所述IV型半导体衬底上方形成III‑V型半导体沟道区域，所述III‑V型半导体沟道区域被配置成支持二维载流子气；在所述IV型半导体衬底与所述III‑V型半导体沟道区域之间形成III‑V型半导体晶格过渡区域，所述III‑V型半导体晶格过渡区域被配置为减轻由于所述IV型半导体衬底和所述III‑V型半导体沟道区域之间的晶格失配而产生的机械应力，其中，所述III‑V型半导体晶格过渡区域包括至少第一III族元素、第二III族元素以及至少一种V族元素，其中，形成所述III‑V型半导体晶格过渡区域包括：在所述IV型半导体衬底上方形成第一晶格过渡层，所述第一晶格过渡层具有第一浓度的第一III族元素；在所述第一晶格过渡层上方形成第二晶格过渡层，所述第二晶格过渡层具有高于所述第一浓度的第二浓度的第一III族元素；以及在所述第二晶格过渡层上方形成第三晶格过渡层，所述第三晶格过渡层具有低于所述第一浓度的第三浓度的III族元素。