[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201810632849.9 | 申请日： | 2018-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN109103169A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 洪义官;文光辰;李来寅;李镐珍 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 纪雯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：位于第一衬底上的第一绝缘夹层的上部的第一导电图案、垂直地延伸的多个第一导电纳米管(CNT)、位于第二衬底下方的第二绝缘夹层的下部的第二导电图案、以及垂直地延伸的多个第二CNT。第二绝缘夹层的下表面接触第一绝缘夹层的上表面。多个第一CNT中的每一个的侧壁的至少一部分被第一导电图案覆盖，并且多个第二CNT中的每一个的侧壁的至少一部分被第二导电图案覆盖。第一导电图案和第二导电图案垂直地面向彼此，并且多个第一CNT中的至少一个与多个第二CNT中的至少一个彼此接触。 | ||
| 搜索关键词： | 导电图案 绝缘夹层 垂直地 半导体器件 侧壁 导电纳米管 上表面 下表面 延伸 衬底 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一导电图案，所述第一导电图案被包含在第一衬底上的第一绝缘夹层的上部；多个第一碳纳米管CNT，所述多个第一碳纳米管CNT相对于所述第一衬底的上表面在垂直方向上延伸，所述多个第一CNT中的每一个的侧壁的至少一部分被所述第一导电图案覆盖；第二导电图案，所述第二导电图案被包含在第二衬底下方的第二绝缘夹层的下部，所述第二绝缘夹层的下表面接触所述第一绝缘夹层的上表面；以及多个第二CNT，所述多个第二CNT在垂直方向上延伸，所述多个第二CNT中的每一个的侧壁的至少一部分被所述第二导电图案覆盖，其中所述第一导电图案和所述第二导电图案在垂直方向上彼此面对，并且其中所述多个第一CNT中的至少一个和所述多个第二CNT中的至少一个彼此接触。
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