[发明专利]一种发光二极管外延片的制备方法及其发光二极管外延片有效
| 申请号： | 201810630343.4 | 申请日： | 2018-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN109087976B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 郭炳磊;王群;葛永晖;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/12;H01L21/268;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片的制备方法及其发光二极管外延片，属于半导体技术领域。制备方法包括：采用化学气相沉积技术在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层；对所述接触层的表面进行质子辐射，降低所述接触层的电阻率。本发明通过对接触层的表面进行质子辐射，改变接触层晶体的微观结构，影响接触层内缺陷的形态和数量，降低接触层的电阻率，可以提高接触层的载流子迁移率，有利于P型半导体层的空穴迁移到有源层中，提高有源层中的空穴数量，进而增加有源层中电子的空穴的辐射复合发光，最终改善LED的发光效率。而且接触层的电阻率降低，还可以降低外延片的串联电阻，最终降低LED的正向电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制备 方法 及其 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：采用化学气相沉积技术在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层；对所述接触层的表面进行质子辐射，降低所述接触层的电阻率。
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