[发明专利]一种发光二极管外延片的制备方法及其发光二极管外延片有效
| 申请号： | 201810630343.4 | 申请日： | 2018-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN109087976B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 郭炳磊;王群;葛永晖;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/12;H01L21/268;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制备 方法 及其 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
采用化学气相沉积技术在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层；
对所述接触层的表面进行质子辐射，降低所述接触层的电阻率，质子辐射的辐射剂量为1015ions/cm2～1018ions/cm2，质子辐射的辐射能量为4.5MeV～6MeV。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，质子辐射时所述接触层所处环境的压力为10-4Torr～10-2Torr。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，质子辐射时所述接触层所处环境的温度为20℃～80℃。
4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述对所述接触层的表面进行质子辐射，降低所述接触层的电阻率，包括：
利用质子加速器提供的质子流轰击所述接触层的表面。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述质子束的电流强度为150nA～250nA。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述质子束的直径为2.5cm～5.5cm。
7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，轰击的时长为40min～80min。
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