[发明专利]在氮化镓衬底的氮极性面上制备欧姆接触电极的方法在审

专利信息
申请号: 201810600932.8 申请日: 2018-06-12
公开(公告)号: CN110600991A 公开(公告)日: 2019-12-20
发明(设计)人: 刘通;黄荣;李坊森;黄增立;陆晓鸣;丁孙安 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: H01S5/042 分类号: H01S5/042
代理公司: 44304 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 代理人: 孙伟峰;黄进
地址: 215123 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种在氮化镓衬底的氮极性面上制备欧姆接触电极的方法,其包括:在真空环境中将所述氮化镓衬底送入到刻蚀装置中;控制所述刻蚀装置对所述氮化镓衬底的氮极性面进行等离子体刻蚀处理;在真空环境中将所述氮化镓衬底从所述刻蚀装置转移到沉积装置中;控制所述沉积装置在所述氮化镓衬底的氮极性面上沉积金属薄膜,形成所述欧姆接触电极。该方法可以降低氮化镓衬底的氮极性面与金属电极之间的欧姆接触电阻,并且还提高了欧姆接触的热稳定性。
搜索关键词: 氮化镓 衬底 刻蚀装置 欧姆接触电极 沉积装置 氮极性面 真空环境 氮极性 等离子体刻蚀处理 沉积金属薄膜 欧姆接触电阻 金属电极 欧姆接触 热稳定性 制备 送入
【主权项】:
1.一种在氮化镓衬底的氮极性面上制备欧姆接触电极的方法,其特征在于,包括:/n在真空环境中将所述氮化镓衬底送入到刻蚀装置中;/n控制所述刻蚀装置对所述氮化镓衬底的氮极性面进行等离子体刻蚀处理;/n在真空环境中将所述氮化镓衬底从所述刻蚀装置转移到沉积装置中;/n控制所述沉积装置在所述氮化镓衬底的氮极性面上沉积金属薄膜,形成所述欧姆接触电极。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810600932.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top