[发明专利]在氮化镓衬底的氮极性面上制备欧姆接触电极的方法在审
申请号: | 201810600932.8 | 申请日: | 2018-06-12 |
公开(公告)号: | CN110600991A | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 刘通;黄荣;李坊森;黄增立;陆晓鸣;丁孙安 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01S5/042 | 分类号: | H01S5/042 |
代理公司: | 44304 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 | 代理人: | 孙伟峰;黄进 |
地址: | 215123 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种在氮化镓衬底的氮极性面上制备欧姆接触电极的方法,其包括:在真空环境中将所述氮化镓衬底送入到刻蚀装置中;控制所述刻蚀装置对所述氮化镓衬底的氮极性面进行等离子体刻蚀处理;在真空环境中将所述氮化镓衬底从所述刻蚀装置转移到沉积装置中;控制所述沉积装置在所述氮化镓衬底的氮极性面上沉积金属薄膜,形成所述欧姆接触电极。该方法可以降低氮化镓衬底的氮极性面与金属电极之间的欧姆接触电阻,并且还提高了欧姆接触的热稳定性。 | ||
搜索关键词: | 氮化镓 衬底 刻蚀装置 欧姆接触电极 沉积装置 氮极性面 真空环境 氮极性 等离子体刻蚀处理 沉积金属薄膜 欧姆接触电阻 金属电极 欧姆接触 热稳定性 制备 送入 | ||
【主权项】:
1.一种在氮化镓衬底的氮极性面上制备欧姆接触电极的方法,其特征在于,包括:/n在真空环境中将所述氮化镓衬底送入到刻蚀装置中;/n控制所述刻蚀装置对所述氮化镓衬底的氮极性面进行等离子体刻蚀处理;/n在真空环境中将所述氮化镓衬底从所述刻蚀装置转移到沉积装置中;/n控制所述沉积装置在所述氮化镓衬底的氮极性面上沉积金属薄膜,形成所述欧姆接触电极。/n
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