[发明专利]垂直存储器件在审
| 申请号： | 201810600164.6 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN109087918A | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 金光洙;金贤锡;洪淳爀;黄斗熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11563 | 分类号： | H01L27/11563;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种垂直存储器件包括：栅极结构，包括堆叠在衬底上的多个栅电极层；多个沟道结构，穿过栅极结构并在垂直于衬底的上表面的方向上延伸；公共源极线，穿过栅极结构并在第一方向上延伸；金属线，在第一方向上在公共源极线之上延伸；以及多个连接部分，插置在金属线和公共源极线之间。 | ||
| 搜索关键词： | 公共源极线 栅极结构 垂直存储器 金属线 衬底 延伸 穿过 沟道结构 栅电极层 上表面 插置 堆叠 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种垂直存储器件，包括：栅极结构，包括堆叠在衬底上的多个栅电极层；多个沟道结构，穿过所述栅极结构并在垂直于所述衬底的上表面的垂直方向上延伸；公共源极线，穿过所述栅极结构并在第一方向上延伸；金属线，在所述第一方向上在所述公共源极线之上延伸；以及多个连接部分，插置在所述金属线和所述公共源极线之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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