[发明专利]P沟道闪存单元的操作方法

摘要

本发明提供了一种P沟道闪存单元的操作方法，可通过在存储位的控制栅及其对应的字线栅和相应的P型掺杂区上分别施加相应的负电压，在所述N阱和所述第二P型掺杂区上施加0V电压，两个P型掺杂区之间的电压差产生强电场，P沟道中的空穴在强电场的作用下获得高能量从而与硅晶格发生高速碰撞而产生高能电子，一些高能电子在控制栅电压所产生的电场作用下进入浮栅，从而达到编程的操作；还可通过在存储位对应的字线栅上施加正电压，在存储位的控制栅上施加负电压，以产生FN隧穿效应，实现快速擦除的目的；又可通过在相应存储位对应的P型掺杂区和字线栅上施加负电压，在其控制栅、所述N阱和所述第二P型掺杂区上施加0V电压，实现信息的快速读取。

主权项

1.一种P沟道闪存单元的操作方法，其特征在于，所述P沟道闪存单元包括：形成有N阱的半导体衬底；形成在N阱中且相间隔的第一P型掺杂区和第二P型掺杂区；形成在所述第一P型掺杂区和第二P型掺杂区之间的N阱上方的第一存储位，所述第一存储位包括第一浮栅以及设置在所述第一浮栅上方的第一控制栅；形成在所述第二P型掺杂区和所述第一存储位之间的N阱上方的第一字线栅；所述操作方法包括对所述第一存储位进行编程、擦除和读取中的至少一种，且：对所述第一存储位进行编程时，在所述第一控制栅、所述第一字线栅和所述第一P型掺杂区上分别施加负电压，在所述N阱和所述第二P型掺杂区上均施加0V电压；对所述第一存储位进行擦除时，在所述第一字线栅上施加正电压，在所述第一控制栅上施加负电压，在所述第一P型掺杂区、第二P型掺杂区和N阱上均施加0V电压；对所述第一存储位进行读取时，在所述第一P型掺杂区和所述第一字线栅上分别施加负电压，在所述N阱、所述第一控制栅和所述第二P型掺杂区上均施加0V电压。