[发明专利]单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及应用有效
| 申请号： | 201810589133.5 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN110581056B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 谷振坤;黄占东;宋延林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 刘依云;乔雪微 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶体材料技术领域，公开了一种具有普适性的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及应用。该具有普适性的单晶薄膜制备方法由以下具体操作步骤得到：(1)将饱和溶液A引入晶种模板M和目标基材N之间，所述晶种模板M为附着有晶种的基材且晶种模板M与饱和溶液A接触的一侧为附着有晶种的一侧；(2)除去饱和溶液A中的溶剂，制得单晶薄膜。所述的单晶薄膜的厚度可由晶种尺寸控制并可实现单晶薄膜在不同基材上的制备。本发明解决了单晶薄膜制备过程中随机成核问题，方法简单、快速、节约成本，且对大部分可溶液加工的材料可行，具有普适性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种具有普适性的单晶薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：/n(1)将饱和溶液A引入晶种模板M和目标基材N之间，所述晶种模板M为附着有晶种的基材且晶种模板M与饱和溶液A接触的一侧为附着有晶种的一侧；/n(2)除去饱和溶液A中的溶剂，制得单晶薄膜。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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