[发明专利]鳍式二极管结构及其方法

摘要

一种用于形成鳍式底部二极管的方法和结构包括提供具有多个从其上延伸的鳍的衬底。多个鳍中的每个包括衬底部分和衬底部分上方的外延层部分。第一掺杂层形成在多个鳍中的每个的衬底部分的第一区域的侧壁上。在形成第一掺杂层之后，执行第一退火工艺以在衬底部分的第一区域内形成第一二极管区域。第二掺杂层形成在多个鳍中的每个的衬底部分的第二区域的侧壁上。在形成第二掺杂层之后，执行第二退火工艺以在多个鳍中的每个的衬底部分的第二区域内形成第二二极管区域。本发明的实施例还涉及鳍式二极管结构及其方法。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有从衬底延伸的多个鳍的衬底，其中，所述多个鳍中的每个包括衬底部分和位于所述衬底部分上方的外延层部分；在所述多个鳍中的每个的所述衬底部分的第一区域的侧壁上形成第一掺杂层；在形成所述第一掺杂层之后，执行第一退火工艺以在所述多个鳍中的每个的所述衬底部分的所述第一区域内形成第一二极管区域；在所述多个鳍中的每个的所述衬底部分的第二区域的侧壁上形成第二掺杂层；以及在形成所述第二掺杂层之后，执行第二退火工艺以在所述多个鳍中的每个的所述衬底部分的所述第二区域内形成第二二极管区域。