[发明专利]一种高频交流电场约束等离子体产生中子的方法有效
| 申请号： | 201810584372.1 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN108882495B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 鲍铭;李鸿达;陆杰;朱念;王智健;戴辰;蒋成量 | 申请（专利权）人： | 鲍铭;李鸿达;陆杰;朱念;王智健;戴辰;蒋成量 |
| 主分类号： | H05H3/06 | 分类号： | H05H3/06 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 张震国 |
| 地址： | 710032 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种高频交流电场约束等离子体产生中子的方法:将稀薄氘氚气体置于密闭腔体中并施加高频电流(MHz以上),高频交流电及其产生的高频电场可将气体电离,同时利用高频交流电的趋肤效应对等离子体进行约束，电离气体离子在高频电场作用下做相对圆周运动，达到对其进行约束并产生中子的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高频 交流 电场 约束 等离子体 产生 中子 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高频交流电场约束等离子体产生中子的方法，其特征在于：1)将金属棒作为电极置于真空腔，对真空腔进行抽真空使真空度＜10‑4Pa，向真空腔注入氘氚混合气体控制充气后真空度为10‑2～10‑3Pa；或使用吸氢金属材料吸收氘氚混合气体，将其制成金属圆棒作为放电电极置于真空腔中，对真空腔进行抽真空使真空度＜10‑4Pa；或对真空腔进行抽真空(使真空度＜10‑4Pa)后注入氘氚混合气体控制充气后真空度为10‑2～10‑3Pa。2)向真空腔体内施加≥1MHz的高频交流电流进行放电产生中子。
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