[发明专利]一种高频交流电场约束等离子体产生中子的方法有效

专利信息
申请号: 201810584372.1 申请日: 2018-06-08
公开(公告)号: CN108882495B 公开(公告)日: 2021-02-19
发明(设计)人: 鲍铭;李鸿达;陆杰;朱念;王智健;戴辰;蒋成量 申请(专利权)人: 鲍铭;李鸿达;陆杰;朱念;王智健;戴辰;蒋成量
主分类号: H05H3/06 分类号: H05H3/06
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 张震国
地址: 710032 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 高频 交流 电场 约束 等离子体 产生 中子 方法
【权利要求书】:

1.一种高频交流电场约束等离子体产生中子的方法,其特征在于:

1)将金属棒作为电极置于真空腔,对真空腔进行抽真空使真空度<10-4Pa,向真空腔注入氘氚混合气体控制充气后真空度为10-2~10-3Pa;

或使用吸氢金属材料吸收氘氚混合气体,将其制成金属圆棒作为放电电极置于真空腔中,对真空腔进行抽真空使真空度<10-4Pa;

或对真空腔进行抽真空使真空度<10-4Pa后,注入氘氚混合气体控制充气后真空度为10-2~10-3Pa;

2)向真空腔体内施加≥1MHz、电压110V或220V的高频交流电流进行放电,氘氚混合气体电离形成等离子体,电流将主要由等离子体中通过,等离子体在原交流和感生电流的作用下,分别在水平和垂直方向振动,表现为在其相对位置做圆周运动的形式,利用高频交流电的趋肤效应使电流能量集中于气体等离子体中,达到约束和加热等离子体产生中子的目的。

2.根据权利要求1所述的高频交流电场约束等离子体产生中子的方法,其特征在于:所述的氘氚混合气体中氘氚的体积比为1:1。

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