[发明专利]具有掩埋光屏蔽件和垂直栅极的图像传感器有效
申请号: | 201810583263.8 | 申请日: | 2014-07-28 |
公开(公告)号: | CN108550599B | 公开(公告)日: | 2022-08-23 |
发明(设计)人: | 范晓峰;P·H·李;温宗晋;A·K·沙玛;李向利 | 申请(专利权)人: | 苹果公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 李玲 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及具有掩埋光屏蔽件和垂直栅极的图像传感器。本发明公开了一种图像传感器中的像素(700),该像素可包括被设置在一个基板中的光电探测器(708)和存储区域(712),或者可包括被设置在一个基板(738)中的光电探测器和在另一基板(740)中的存储区域。掩埋光屏蔽件(710)被设置在光电探测器与存储区域之间。诸如浮接扩散区域的感测区域(716)可与存储区域相邻,其中掩埋光屏蔽件被设置在光电探测器与存储区域和感测区域之间。当光电探测器和存储区域被设置在独立基板中时,垂直栅极(714)可被形成为穿过掩埋光屏蔽件并且用于启动来自光电探测器和存储区域的电荷的转移。与垂直栅极相邻或者围绕该垂直栅极的转移通道(744)为电荷提供通道,以从光电探测器转移到存储区域。 | ||
搜索关键词: | 具有 掩埋 屏蔽 垂直 栅极 图像传感器 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,包括:第一基板层,包括:光电探测器,所述光电探测器被设置在所述第一基板层的第一表面上;第二基板层,包括:第一存储区域,所述第一存储区域被设置成与所述第二基板层的第二表面相邻,所述第二表面与所述第一表面相对;第二存储区域,所述第二存储区域被设置在所述第二基板层中;以及掩埋光屏蔽件,所述掩埋光屏蔽件被设置在所述第一基板层和所述第二基板层之间,其中所述掩埋光屏蔽件在所述第一存储区域和所述第二存储区域之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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