[发明专利]压电陶瓷作动器的分布参数饱和电容模型建模方法有效
| 申请号： | 201810582214.2 | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN108846191B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 刘延芳;齐乃明;赵钧;霍明英;杜德嵩;范子琛;杨曼 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G06F30/3308 | 分类号： | G06F30/3308;G06F30/337 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 高倩 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： |
本发明提供一种模拟压电陶瓷作动器迟滞非线性的分布饱和电容模型建模方法，属于压电陶瓷作动器迟滞非线性模拟领域。本发明利用倒电容函数s(x)和饱和电荷函数Q(x)建立分布参数饱和电容模型，其控制方程为： |
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| 搜索关键词： | 压电 陶瓷 作动器 分布 参数 饱和 电容 模型 建模 方法 | ||
【主权项】：
1.一种模拟压电陶瓷作动器迟滞非线性的分布参数饱和电容模型建模方法，其特征在于，所述方法为利用倒电容函数s(x)和饱和电荷函数Q(x)建立分布参数饱和电容模型，所述分布参数饱和电容模型的控制方程为：![]()
u＝∫0Ls(x)q(x)dxd＝TqP其中，qP为输入电荷量；u表示分布参数饱和电容模型表征的电容器两端电压；x表示分布参数饱和电容模型表征的电容器特征方向上的位置，q(x)表示在x位置上的输入电荷量，L为特征方向上的特征长度；Q(x)表示正饱和电容函数；z表示压电陶瓷的变形位移；T为电‑机械转换系数。
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