[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201810558748.1 | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN108807549B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 刘凤娟;于东慧 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 李颖 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及其制造方法。该薄膜晶体管，包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的栅电极、有源层、源电极和漏电极；所述薄膜晶体管还包括位于所述有源层和所述衬底基板之间的遮光部，其中所述遮光部包括凹槽，所述有源层位于所述凹槽中。通过将有源层设置在遮光部的凹槽中，能够减少甚至阻挡入射到有源层的侧表面上的光。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的栅电极、有源层、源电极和漏电极；所述薄膜晶体管还包括位于所述有源层和所述衬底基板之间的遮光部，其中所述遮光部包括凹槽，所述有源层位于所述凹槽中。
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