[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及其制造方法

说明书

一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及其制造方法。该薄膜晶体管，包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的栅电极、有源层、源电极和漏电极；所述薄膜晶体管还包括位于所述有源层和所述衬底基板之间的遮光部，其中所述遮光部包括凹槽，所述有源层位于所述凹槽中。通过将有源层设置在遮光部的凹槽中，能够减少甚至阻挡入射到有源层的侧表面上的光。

技术领域

本公开实施例涉及一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的阵列基板及其制造方法。

背景技术

目前，有机发光二极管(OLED)阵列基板一般采用背面不遮光、或者金属遮光。然而，金属遮光只能阻挡从阵列基板下方入射的光，对于侧面入射的光无法起到遮挡作用。而且，入射光光会在衬底基板上各层之间被多次反射，容易从有源层的侧表面入射到有源层的沟道中，影响薄膜晶体管的性能。

发明内容

本公开实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法，以及包括该薄膜晶体管的阵列基板及其制造方法。

本公开第一方面提供了一种薄膜晶体管，包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的栅电极、有源层、源电极和漏电极；所述薄膜晶体管还包括位于所述有源层之下的遮光部，其中所述遮光部包括凹槽，所述有源层位于所述凹槽中。

至少一个实施例中，所述凹槽的侧壁位于所述有源层的周围。

至少一个实施例中，所述遮光部包括隔垫层和位于所述隔垫层上的遮光层，所述凹槽位于所述遮光层中。

至少一个实施例中，所述隔垫层限定开口，所述遮光层至少覆盖所述开口的底部和侧壁。

至少一个实施例中，所述隔垫层和遮光层由相同材料制成并且一体成型。

至少一个实施例中，所述遮光部远离所述衬底基板的最顶表面与所述衬底基板之间的距离大于或等于所述有源层远离所述衬底基板的表面与所述衬底基板之间的距离。

本公开第二方面提供了一种薄膜晶体管的制造方法，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成栅电极、有源层、源电极和漏电极；所述制造方法还包括：形成位于所述有源层和所述衬底基板之间的遮光部，其中所述遮光部包括凹槽，所述有源层形成在所述凹槽中。

至少一个实施例中，所述形成位于所述有源层和所述衬底基板之间的遮光部包括：形成遮光薄膜；以及图案化所述遮光薄膜以形成包括所述凹槽的遮光部，其中所述凹槽的侧壁位于所述有源层的周围。

至少一个实施例中，所述形成位于所述有源层和所述衬底基板之间的遮光部包括：在所述衬底基板上形成限定开口的隔垫层；以及在所述隔垫层上形成遮光层，所述凹槽形成在所述遮光层中；其中所述遮光层至少覆盖所述开口的底部和侧壁，所述开口的侧壁位于所述有源层的周围。

本公开第三方面提供了一种阵列基板，包括前述的薄膜晶体管。

至少一个实施例中，所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板上的多条栅线和多条数据线，其中所述多条栅线和所述多条数据线彼此交叉以限定多个子区域，所述多个子区域包括设有所述薄膜晶体管的至少一个像素区；其中所述薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层和位于所述第一有源层和所述衬底基板之间的共用遮光部，所述共用遮光部包括共用凹槽；所述第二薄膜晶体管包括第二有源层；所述共用遮光部延伸到所述第二有源层和所述衬底基板之间，使得所述第一有源层和所述第二有源层均位于所述共用凹槽中。

至少一个实施例中，所述共用凹槽的侧壁位于所述第一有源层和所述第二有源层二者的周围。