[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 201810558748.1 | 申请日: | 2018-06-01 |
公开(公告)号: | CN108807549B | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 刘凤娟;于东慧 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336;H01L27/12 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 李颖 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 阵列 | ||
1.一种用于阵列基板的薄膜晶体管,其中所述阵列基板包括显示区域,所述显示区域包括多个子区域,所述多个子区域包括至少一个像素区和用作透明开口区的至少一个非像素区,其中每一行子区域中,所述至少一个像素区和所述至少一个非像素区交替设置,所述薄膜晶体管设置在所述至少一个像素区中,所述薄膜晶体管包括:
衬底基板;
位于所述衬底基板上的栅电极、有源层、源电极和漏电极;
位于所述有源层和所述衬底基板之间的遮光部,其中所述遮光部包括凹槽,所述有源层位于所述凹槽中,所述遮光部包括限定开口的隔垫层,所述开口为贯穿所述隔垫层的通孔以暴露一部分所述衬底基板;以及位于所述遮光部和所述有源层之间的缓冲层,
其中,所述缓冲层还形成在所述至少一个非像素区中,所述至少一个非像素区中仅设置有所述缓冲层。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管,其中所述凹槽的侧壁位于所述有源层的周围。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管,其中所述遮光部还包括位于所述隔垫层上的遮光层,所述凹槽位于所述遮光层中。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管,其中所述遮光层至少覆盖所述开口的底部和侧壁。
5.如权利要求3所述的薄膜晶体管,其中所述隔垫层和遮光层由相同材料制成并且一体成型。
6.如权利要求1至5任一项所述的薄膜晶体管,其中所述遮光部远离所述衬底基板的最顶表面与所述衬底基板之间的距离大于或等于所述有源层远离所述衬底基板的表面与所述衬底基板之间的距离。
7.一种用于阵列基板的薄膜晶体管的制造方法,其中所述阵列基板包括显示区域,所述显示区域包括多个子区域,所述多个子区域包括至少一个像素区和用作透明开口区的至少一个非像素区,其中每一行子区域中,所述至少一个像素区和所述至少一个非像素区交替设置,所述薄膜晶体管设置在所述至少一个像素区中,所述薄膜晶体管的制造方法包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板上形成栅电极、有源层、源电极和漏电极;
形成位于所述有源层和所述衬底基板之间的遮光部,其中所述遮光部包括凹槽,所述有源层形成在所述凹槽中,其中所述形成位于所述有源层和所述衬底基板之间的遮光部包括:在所述衬底基板上形成限定开口的隔垫层,所述开口为贯穿所述隔垫层的通孔以暴露一部分所述衬底基板;以及
在所述遮光部和所述有源层之间形成缓冲层,
其中,所述缓冲层还形成在所述至少一个非像素区中,所述至少一个非像素区中仅形成有所述缓冲层。
8.如权利要求7所述的制造方法,其中所述形成位于所述有源层和所述衬底基板之间的遮光部包括:
形成遮光薄膜;以及
图案化所述遮光薄膜以形成包括所述凹槽的遮光部,其中所述凹槽的侧壁位于所述有源层的周围。
9.如权利要求7所述的制造方法,其中所述形成位于所述有源层和所述衬底基板之间的遮光部还包括:
在所述隔垫层上形成遮光层,所述凹槽形成在所述遮光层中;
其中所述遮光层至少覆盖所述开口的底部和侧壁,所述开口的侧壁位于所述有源层的周围。
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