[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201810551963.9 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN110556337B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供基底，所述基底包括第一区和第二区，所述第一区与第二区邻接且位于第二区两侧，所述第一区和第二区的基底上具有多个分立的鳍部；在第一区的鳍部内形成第一掺杂区；在第二区的鳍部内形成第二掺杂区，第一掺杂区的掺杂离子浓度比第二掺杂区低，第二掺杂区与第一掺杂区的掺杂离子类型相同；形成第一掺杂区和第二掺杂区后，在第一掺杂区和第二掺杂区上形成横跨鳍部的栅极结构。所述方法使得第一区的晶体管的阈值电压比第二区的晶体管阈值电压低，第二区晶体管的沟道开启电压较大，第二区的鳍部产生的热量较少，中间区域内不容易发生热量的集聚，自发热效应不显著，提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底包括第一区和第二区，所述第一区与第二区邻接且位于第二区两侧，所述第一区和第二区的基底上具有多个分立的鳍部；/n在第一区的鳍部内形成第一掺杂区；/n在第二区的鳍部内形成第二掺杂区，第一掺杂区的掺杂离子浓度比第二掺杂区低，第二掺杂区与第一掺杂区的掺杂离子类型相同；/n形成第一掺杂区和第二掺杂区后，在第一掺杂区和第二掺杂区上形成横跨鳍部的栅极结构。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
