[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201810551963.9 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN110556337B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括第一区和第二区，所述第一区与第二区邻接且位于第二区两侧，所述基底第一区和第二区上具有多个分立的鳍部；
在所述基底上形成介质层，所述介质层内具有开口，所述开口暴露出部分鳍部表面；
在所述开口底部表面形成栅介质层；
在位于第一区的开口内形成位于栅介质层表面的第一调节功函数层；
在形成第一调节功函数层之前或之后，在位于第二区的开口内形成位于栅介质层表面的第二调节功函数层，所述第二调节功函数层的功函数值和第一调节功函数层的功函数值不同，第一调节功函数层和第二调节功函数层的功函数类型相同；
形成第一调节功函数层和第二调节功函数层后，在所述开口内形成栅电极层，所述栅电极层填充满所述开口；
通过控制栅极结构的功函数层的功函数值实现第二区鳍部上的功函数层阈值电压高于第一区鳍部上的功函数层的阈值电压。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，当所述鳍部用于形成N型器件时，所述第一调节功函数层和第二调节功函数层的材料为N型功函数材料；当所述鳍部用于形成P型器件时，所述第一调节功函数层和第二调节功函数层的材料为P型功函数材料。
3.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一调节功函数层的厚度小于第二调节功函数层的厚度。
4.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述N型功函数材料包括：TiN或TaN。
5.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述P型功函数材料包括：TaC、Ti、Al或TiAl。
6.根据权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二调节功函数层内的氮原子百分比浓度高于第一调节功函数层的氮原子百分比浓度。
7.一种根据权利要求1至6任意一项方法形成的半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
