[发明专利]一种碘化汞薄膜籽晶层的制备方法

摘要

本发明属于化学液相沉积领域，具体涉及一种碘化汞薄膜籽晶层的制备方法。本发明主要解决碘化汞薄膜籽晶层定向生长的问题。本发明提供了一种碘化汞薄膜籽晶层的制备方法：利用化合物碘化汞（α‑HgI2）和氢碘酸（HI）为基本原料，调整加入到体系HI的浓度，控制[HgI3]和[HgI4]2‑的生成速率；通过施加横向静电场，使[HgI3]和[HgI4]2‑在溶液中定向移动，碰撞形核并结晶从而形成择优生长的碘化汞薄膜籽晶层。生成的碘化汞薄膜籽晶层在基片（电极）材料上沉积一层同质薄膜，为气相外延生长提供定向晶核，从而增大薄膜单向生长几率。

主权项

1.一种碘化汞薄膜籽晶层的制备方法，其特征在于，依次包括下述步骤：a、基片的准备：裁割ITO或TFT玻璃制成基片，按照常规处理方法得到洁净光滑的基片，放入充满氩气的手套箱中；b、反应溶液的制备：在充满氩气的手套箱中，将碘化汞（HgI2）粉末加入到HI酸中，适度搅拌后形成浓度范围为0.2~0.6g/L的溶液反应体系，溶液配好后继续搅拌0.5~1h后结束；c、液相沉积：将洁净的基片水平放入容器底部的溶液中进行沉积生长；将容器放在平板电极间，基片位置置于电极板高度方向的中心，电极间电压设定形成24~72V/cm开始沉积；沉积过程中，生长环境温度为20~30℃，沉积时间72~120h；关闭静电场电源，将剩余残液从称量瓶中移出；然后取出生长好的基片，此时基片上有已有一层红色的多晶碘化汞籽晶层；d、籽晶层处理：将多晶碘化汞籽晶层置于在氩气气氛下恒温干燥1~2h，然后在真空条件下保存。