[发明专利]一种GaN HEMT器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201810528016.8 | 申请日： | 2018-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN108461543B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 刘洪刚;孙兵;常虎东 | 申请（专利权）人： | 苏州闻颂智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫;李萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家港*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN HEMT器件及其制备方法。该GaN HEMT器件包括N型帽层、第一钝化层、第一介质层；N型帽层、第一钝化层和第一介质层的中部贯通设有栅金属区；第二钝化层形成于栅金属区内并覆盖暴露于栅金属区内的N型帽层、第一钝化层和第一介质层的侧表面以及势垒层的部分上表面；第二介质层形成于栅金属区内并层叠于第二钝化层上；栅金属层覆盖形成于暴露于栅金属区内的势垒层的剩余上表面、第二钝化层及第二介质层上；第二钝化层和第二介质层叠置在栅金属层的两侧。采用N型帽层来降低源漏的寄生电阻，采用侧墙工艺制作叠置在栅金属层两侧的第二钝化层及第二介质层，来缩小栅长尺寸和降低寄生电容，从而获得具有优异射频特性的GaN HEMT器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN HEMT器件，包括自下至上依次层叠的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、N型帽层以及源漏金属层，所述N型帽层上层叠设置有第一钝化层，所述第一钝化层上层叠设置有第一介质层，所述第一钝化层和所述第一介质层位于所述源漏金属层之间并与所述源漏金属层相接；其特征在于：所述N型帽层、所述第一钝化层和所述第一介质层的中部贯通设有栅金属区；所述GaN HEMT器件还包括第二钝化层、第二介质层及栅金属层；所述第二钝化层形成于所述栅金属区内并覆盖暴露于所述栅金属区内的所述N型帽层、所述第一钝化层和所述第一介质层的侧表面以及所述势垒层的部分上表面；所述第二介质层形成于所述栅金属区内并层叠于所述第二钝化层上；所述栅金属层覆盖形成于所述暴露于所述栅金属区内的所述势垒层的剩余上表面、所述第二钝化层及所述第二介质层上；所述第二钝化层和所述第二介质层叠置在所述栅金属层的两侧，使得所述栅金属层上部的宽度大于所述栅金属层下部的宽度。
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