[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

根据本公开一些实施例，提供半导体装置的制造方法，其包含形成第一鳍片于基底的第一区上及第二鳍片于基底的第二区上。上述方法亦包含形成第一栅极堆叠于第一鳍片上，及形成第二栅极堆叠于第二鳍片上。上述方法更包含形成间隙物层于第一鳍片、第二鳍片、第一栅极堆叠及第二栅极堆叠上。此外，上述方法包含形成第一掩模于第二区的间隙物层上，且第一掩模覆盖第二鳍片。形成第一掩模后，将具有第一掺杂型态的第一掺杂质注入第一鳍片上方的间隙物层内。上述方法亦包含移除第一掩模。上述方法更包含执行第一退火工艺，以将第一掺杂质导入第一鳍片，以及外延成长第一源极/漏极区于第一鳍片内。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，包括：形成一第一鳍片于一基底的一第一区上及一第二鳍片于该基底的一第二区上；形成一第一栅极堆叠于该第一鳍片上及一第二栅极堆叠于该第二鳍片上；形成一间隙物层于该第一鳍片、该第二鳍片、该第一栅极堆叠及该第二栅极堆叠上；形成一第一掩模于该第二区的该间隙物层上，且该第一掩模覆盖该第二鳍片；形成该第一掩模后，将具有一第一掺杂型态的一第一掺杂质注入该第一鳍片上方的该间隙物层内；移除该第一掩模；执行一第一退火工艺，以将该第一掺杂质导入该第一鳍片；以及外延成长一第一源极/漏极区于该第一鳍片内。