[发明专利]一种存储器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810517175.8 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN108735891A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 叶建国;叶钊赫;苗君 | 申请（专利权）人： | 叶建国 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 范芳茗;张靖琳 |
| 地址： | 063100 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储器件及其制作方法，一种存储器件，包括柔性衬底、铁磁层、耦合层﹑调控层﹑电极。采用聚醚砜(PES)或者聚对苯二甲酸乙二醇酯(PI)做柔性衬底，重金属薄膜Ta或者Pt作电极，铁磁层Co(CoFe)薄膜、耦合层Al2O3薄膜和调控层P(VDF‑TrFE)薄膜位于两电极之间。其制作方法采用磁控溅射法和旋涂法。通过采用有机铁电聚合物P(VDF‑TrFE)作为调控层，利用P(VDF‑TrFE)的自发极化翻转来非易失地调控铁磁层的反常霍尔磁电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 存储器件 电极 调控层 铁磁层 耦合层 衬底 聚对苯二甲酸乙二醇酯 磁控溅射法 电聚合物 自发极化 磁电阻 聚醚砜 旋涂法 有机铁 翻转 重金属 霍尔 制作 调控 制造 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，其特征在于，包括：衬底，用于承载所述存储器件，所述衬底为柔性衬底；第一电极，所述第一电极形成于所述衬底上；铁磁层，所述铁磁层形成于所述第一电极上，用于进行数据记录；耦合层，所述耦合层设置在所述铁磁层上，与所述铁磁层产生自旋轨道耦合效应；调控层，所述调控层位于所述耦合层上，所述调控层通过极性翻转实现对所述铁磁层的数据写入；第二电极，所述第二电极形成于所述调控层上。
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