[发明专利]一种反向生长三结太阳电池的制备方法有效
| 申请号： | 201810517073.6 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN110534612B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 方亮;张恒;张启明;高鹏;王赫;唐悦;石璘;刘如彬 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/02;H01L31/054;H01L31/0687 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 李凤 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种反向生长三结太阳电池的制备方法。本发明属于太阳电池技术领域。一种反向生长三结太阳电池的制备方法，其特点是：反向生长GaInP/GaAs/GaInAsN三结太阳电池的制备过程，使用MOCVD‑MBE技术，在GaAs或者Ge衬底上用MOCVD外延生长晶格匹配的太阳电池材料，包括两个子电池：GaInP子电池，GaAs子电池，然后将制备的器件结构转移到MBE生长GaInAsN子电池，然后通过低温键合工艺把GaInAsN子电池和表面有金属反射层的支撑衬底接在一起，最后通过化学刻蚀完成衬底的剥离，得到反向生长三结太阳电池。本发明具有性能优良、有效增加光生载流子的收集效率，提高三结电池的光电转换效率，应用前景广阔等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反向 生长 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种反向生长三结太阳电池的制备方法，其特征是：反向生长GaInP/GaAs/GaInAsN三结太阳电池的制备过程，使用MOCVD-MBE技术，在GaAs或者Ge衬底上用MOCVD外延生长晶格匹配的太阳电池材料，包括两个子电池：GaInP子电池，GaAs子电池，然后将制备的器件结构转移到MBE生长GaInAsN子电池，然后通过低温键合工艺把GaInAsN子电池和表面有金属反射层的支撑衬底接在一起，最后通过化学刻蚀完成衬底的剥离，得到反向生长三结太阳电池。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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