[发明专利]高导热性相变温控复合封装基板的制备方法

摘要

本发明公开了一种高导热性相变温控复合封装基板的制备方法，利用本发明方便地将低熔点合金固态相变材料直接集成在LTCC‑AlN复合基板内，形成集成度高、导热率高的相变温控装置，本发明通过下述技术方案予以实现：在多层AlN生瓷片的中间AlN生瓷片上制出相变温控腔，再经叠层等静压共烧，形成内嵌相变温控腔夹层的氮化铝AlN基板；并在LTCC生瓷片基板上制出以矩阵分布的电子元件安装腔体，再将AlN基板和LTCC生瓷片基板层压一体，进行共烧，形成可以埋入电子有源器件的LTCC‑AlN复合基板，最后将低熔点合金固态相变材料加热熔化至液态并灌注到复合基板的相变温控腔内，并通过密封盖板进行密封,完成高导热性相变温控复合基板的制备。

主权项

1.一种高导热性相变温控复合封装基板的制备方法，具有如下技术特征：在至少三层AlN生瓷片的中间AlN生瓷片上制出相变温控腔(4)，再经过叠层、等静压、共烧工序，形成内嵌相变温控腔夹层的氮化铝AlN基板(7)；并在LTCC生瓷片基板(15)上制出以矩阵分布的电子元件安装腔体(11)，然后将AlN基板和LTCC生瓷片基板层压在一起，再进行共烧，形成可以埋入电子有源器件或热敏感有源器件的LTCC‑AlN复合基板(12)，然后将低熔点合金固态相变材料(16)加热熔化至液态并灌注到复合基板的相变温控腔内，最后通过密封盖板(14)进行密封,完成高导热性相变温控复合基板的制备。