[发明专利]半导体器件和制造方法

摘要

本发明实施例提供了诸如鳍式场效应晶体管的半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，在半导体鳍上方形成栅极间隔件并且在鳍上方形成栅极堆叠件。在栅极堆叠件上方形成对栅极间隔件具有较大的选择性的第一牺牲材料，以及在源极/漏极接触件上方形成具有较大选择性的第二牺牲材料。利用蚀刻工艺形成穿过第一牺牲材料和第二牺牲材料的开口，并且用导电材料填充开口。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体鳍上方形成栅极间隔件；邻近所述栅极间隔件形成第一栅极堆叠件；在所述半导体鳍上方形成第二栅极堆叠件；在所述第一栅极堆叠件和所述第二栅极堆叠件上方形成第一牺牲材料，其中，所述第一牺牲材料对所述栅极间隔件具有大于12的蚀刻选择性；在所述第一栅极堆叠件和所述第二栅极堆叠件之间以及所述第一栅极堆叠件上方的所述第一牺牲材料和所述第二栅极堆叠件上方的所述第一牺牲材料之间的区域内放置第一导电材料和第二牺牲材料，其中，所述第二牺牲材料与所述第一牺牲材料不同并且对所述栅极间隔件具有大于12的蚀刻选择性；穿过所述第一牺牲材料蚀刻第一开口；以及穿过所述第二牺牲材料蚀刻第二开口。