[发明专利]半导体器件和制造方法

说明书

本发明实施例提供了诸如鳍式场效应晶体管的半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，在半导体鳍上方形成栅极间隔件并且在鳍上方形成栅极堆叠件。在栅极堆叠件上方形成对栅极间隔件具有较大的选择性的第一牺牲材料，以及在源极/漏极接触件上方形成具有较大选择性的第二牺牲材料。利用蚀刻工艺形成穿过第一牺牲材料和第二牺牲材料的开口，并且用导电材料填充开口。

技术领域

本发明实施例涉及半导体器件和制造方法。

背景技术

半导体器件用于诸如例如个人电脑、手机、数码相机和其他电子设备的各种电子应用中。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层以及使用光刻图案化各个材料层以在各个材料层上形成电路组件和元件来制造半导体器件。

半导体产业通过不断减小最小部件尺寸持续地改进各个电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多的组件集成至给定的区域。然而，随着最小部件尺寸的减小，出现了应该解决的附加问题。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体鳍上方形成栅极间隔件；邻近所述栅极间隔件形成第一栅极堆叠件；在所述半导体鳍上方形成第二栅极堆叠件；在所述第一栅极堆叠件和所述第二栅极堆叠件上方形成第一牺牲材料，其中，所述第一牺牲材料对所述栅极间隔件具有大于12的蚀刻选择性；在所述第一栅极堆叠件和所述第二栅极堆叠件之间以及所述第一栅极堆叠件上方的所述第一牺牲材料和所述第二栅极堆叠件上方的所述第一牺牲材料之间的区域内放置第一导电材料和第二牺牲材料，其中，所述第二牺牲材料与所述第一牺牲材料不同并且对所述栅极间隔件具有大于12的蚀刻选择性；穿过所述第一牺牲材料蚀刻第一开口；以及穿过所述第二牺牲材料蚀刻第二开口。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上方的第一牺牲材料上方放置第一光刻胶；形成穿过所述第一牺牲材料的第一部分的第一开口以暴露栅极堆叠件上方的覆盖层并且以暴露栅极间隔件的侧壁，其中，所述栅极间隔件和所述第一牺牲材料在形成所述第一开口期间具有大于12的蚀刻选择性；在第二牺牲材料上方放置第二光刻胶，其中，所述第二牺牲材料和所述栅极间隔件具有大于12的蚀刻选择性；形成至少部分地穿过所述第二牺牲材料的第二开口；在停止形成所述第二开口之后，所述第二开口延伸穿过所述第二牺牲材料以暴露源极/漏极接触件；以及用导电材料填充所述第一开口和所述第二开口。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种半导体器件，包括：栅极堆叠件；覆盖层，位于所述栅极堆叠件上方；第一牺牲层，位于所述覆盖层上方；栅极接触件，延伸穿过所述第一牺牲层并且与所述覆盖层物理接触；第一间隔件，邻近所述栅极堆叠件、所述覆盖层和所述栅极接触件的每个并且与所述栅极堆叠件、所述覆盖层和所述栅极接触件的每个物理接触；源极/漏极接触件，邻近所述第一间隔件；第二牺牲层，位于所述源极/漏极接触件上方，所述第二牺牲层与所述第一牺牲层不同；以及源极/漏极接触插塞，延伸穿过第二牺牲层并且与源极/漏极接触件物理接触。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了根据一些实施例的栅极堆叠件的形成。

图2示出了根据一些实施例的第一牺牲材料的形成。

图3A至图3B示出了根据一些实施例的用于接触端切割的层的形成。

图4示出了根据一些实施例的层的图案化。

图5示出了根据一些实施例的层间电介质的去除。

图6示出了根据一些实施例的第一接触材料的形成。

图7示出了根据一些实施例的图案化工艺。