[发明专利]半导体器件和制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体鳍上方形成栅极间隔件；

邻近所述栅极间隔件形成第一栅极堆叠件；

在所述半导体鳍上方形成第二栅极堆叠件；

在所述第一栅极堆叠件和所述第二栅极堆叠件上方形成第一牺牲材料，其中，所述第一牺牲材料对所述栅极间隔件具有大于12的蚀刻选择性；

在所述第一栅极堆叠件和所述第二栅极堆叠件之间以及所述第一栅极堆叠件上方的所述第一牺牲材料和所述第二栅极堆叠件上方的所述第一牺牲材料之间的区域内放置第一导电材料和第二牺牲材料，其中，所述第二牺牲材料与所述第一牺牲材料不同并且对所述栅极间隔件具有大于12的蚀刻选择性；

穿过所述第一牺牲材料蚀刻第一开口以暴露第一栅极堆叠件上方的覆盖层并且暴露所述栅极间隔件的侧壁，所述覆盖层在形成所述第一开口期间用作蚀刻停止层；以及

穿过所述第二牺牲材料蚀刻第二开口；

所述第一牺牲材料为T形材料，所述T形材料具有位于所述栅极间隔件外的第一部分，和位于所述栅极间隔件内的第二部分，

其中，在蚀刻所述第一开口时，所述T形材料的第一部分的底面与所述栅极间隔件的顶面直接接触，并且第二部分的底面与所述覆盖层直接接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一牺牲材料对所述第二牺牲材料具有大于12的蚀刻选择性。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括，平坦化所述第一牺牲材料和所述栅极间隔件。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括，在平坦化所述第一牺牲材料之后，在所述第一牺牲材料上方和所述栅极间隔件上方形成头盔材料。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述头盔材料对所述第一牺牲材料具有大于12的选择性。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述头盔材料是第一材料并且所述第一牺牲材料是第一材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一牺牲材料形成氧化锆。

8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上方的第一牺牲材料上方放置第一光刻胶；

形成穿过所述第一牺牲材料的第一部分的第一开口以暴露栅极堆叠件上方的覆盖层并且以暴露栅极间隔件的侧壁，其中，所述栅极间隔件和所述第一牺牲材料在形成所述第一开口期间具有大于12的蚀刻选择性；

在第二牺牲材料上方放置第二光刻胶，其中，所述第二牺牲材料和所述栅极间隔件具有大于12的蚀刻选择性；

形成至少部分地穿过所述第二牺牲材料的第二开口；

在停止形成所述第二开口之后，所述第二开口延伸穿过所述第二牺牲材料以暴露源极/漏极接触件；以及

用导电材料填充所述第一开口和所述第二开口；

所述第一牺牲材料为T形材料，所述T形材料具有位于所述栅极间隔件外的第一部分，和位于所述栅极间隔件内的第二部分，

其中，在蚀刻所述第一开口时，所述T形材料的第一部分的底面与所述栅极间隔件的顶面直接接触，并且第二部分的底面与所述覆盖层直接接触。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述覆盖层与所述栅极堆叠件物理接触。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述覆盖层包括钨。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述第二开口暴露所述第一牺牲材料的第二部分的表面。

12.根据权利要求8所述的方法，还包括：

沉积源极/漏极接触材料；

使所述源极/漏极接触材料从第一区域凹进；以及

用所述第二牺牲材料填充所述第一区域。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第二牺牲材料和所述第一牺牲材料之间存在间隙高度。