[发明专利]一种SOI半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201810508736.8 | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108470772B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 陈达 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人： | 张清芳 |
| 地址： | 315803 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件包括：SOI基底，所述SOI基底包括衬底、位于所述衬底上的绝缘层和位于所述绝缘层上的顶层硅；位于所述顶层硅有源区部分区域的漂移区；每一漂移区具有多个凹槽，所述凹槽沿横向方向延伸，多个所述凹槽沿纵向方向间隔并列排列，所述凹槽沿深度方向至少延伸至所述衬底的顶面；所述凹槽内填充有多晶硅，所述多晶硅与所述凹槽的侧壁绝缘设置，所述多晶硅的掺杂类型与所述衬底的掺杂类型相同。根据本发明，可以提高半导体器件的击穿电压，并抑制SOI自加热效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soi 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SOI半导体器件，其特征在于，包括：SOI基底，所述SOI基底包括衬底、位于所述衬底上的绝缘层和位于所述绝缘层上的顶层硅；位于所述顶层硅有源区部分区域的漂移区；每一漂移区具有多个凹槽，所述凹槽沿横向方向延伸，多个所述凹槽沿纵向方向间隔并列排列，所述凹槽沿深度方向至少延伸至所述衬底的顶面；所述凹槽内填充有多晶硅，所述多晶硅与所述凹槽的侧壁绝缘设置，所述多晶硅的掺杂类型与所述衬底的掺杂类型相同。
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