[发明专利]一种SOI半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种SOI半导体器件，其特征在于，包括：

SOI基底，所述SOI基底包括衬底、位于所述衬底上的绝缘层和位于所述绝缘层上的顶层硅；

位于所述顶层硅有源区部分区域的漂移区；

每一漂移区具有多个凹槽，所述凹槽沿横向方向延伸，多个所述凹槽沿纵向方向间隔并列排列，所述横向方向为沿源漏电极连线方向，所述纵向方向为沿源漏电极连线的垂直方向，所述凹槽沿深度方向至少延伸至所述衬底的顶面；

所述凹槽内填充有多晶硅，所述多晶硅与所述凹槽的侧壁绝缘设置，所述多晶硅的掺杂类型与所述衬底的掺杂类型相同；

还包括背电极，位于所述衬底的背面，所述背电极能够对所述多晶硅的电位进行调控。

2.如权利要求1所述的SOI半导体器件，其特征在于，在所述顶层硅的凹槽的侧壁上设有介质层。

3.如权利要求1所述的SOI半导体器件，其特征在于，所述多晶硅的掺杂浓度大于所述漂移区的掺杂浓度。

4.根据权利要求2所述的SOI半导体器件，其特征在于，所述多晶硅的掺杂浓度在1E15atom/cm3以上，所述漂移区的掺杂浓度为1E11~1E14atom/cm3。

5.根据权利要求1所述的SOI半导体器件，其特征在于，相邻凹槽的间距小于3微米。

6.根据权利要求1所述的SOI半导体器件，其特征在于，单个凹槽的纵向宽度小于2微米。

7.根据权利要求2所述的SOI半导体器件，其特征在于，所述介质层的厚度小于10纳米，所述介质层的材料为SiO2、SiN、SiON、SiCN、SiC中的一种或几种。

8.根据权利要求1所述的SOI半导体器件，其特征在于，所述SOI半导体器件为LDMOS晶体管，所述晶体管还包括：栅极，以及位于所述栅极和所述SOI基底之间的栅介质层。

9.根据权利要求1所述的SOI半导体器件，其特征在于，所述SOI半导体器件为平面SOI功率器件。

10.一种形成SOI半导体器件的方法，其特征在于，包括：

提供SOI基底，所述SOI基底包括衬底、位于所述衬底上的绝缘层和位于所述绝缘层上的顶层硅；

在所述顶层硅有源区的预定区域形成漂移区；

在所述漂移区预定的位置形成暴露所述衬底的凹槽，所述凹槽沿横向方向延伸，多个所述凹槽沿纵向方向间隔并列排列，所述横向方向为沿源漏电极连线方向，所述纵向方向为沿源漏电极连线的垂直方向，所述凹槽沿深度方向至少延伸至所述衬底的顶面；

在所述凹槽内沉积与衬底的掺杂类型相同的多晶硅；

在所述衬底的背面形成背电极，所述背电极能够对所述多晶硅的电位进行调控。

11.根据权利要求10所述的一种形成SOI半导体器件的方法，其特征在于，在所述顶层硅的凹槽的侧壁上形成介质层。