[发明专利]部分本征GaN帽层RESURF GaN基肖特基势垒二极管的制备方法

摘要

本发明涉及一种部分本征GaN帽层RESURF GaN基肖特基势垒二极管的制备方法，该制备方法包括：选取衬底层；在衬底层上外延GaN材料形成缓冲层；在缓冲层上外延GaN材料形成沟道层；在沟道层上外延AlGaN材料形成势垒层；在势垒层上外延GaN材料形成顶部本征GaN帽层；刻蚀顶部本征GaN帽层形成部分本征GaN帽层；在势垒层上制作阳极欧姆接触和阴极欧姆接触；在势垒层上制作阳极肖特基接触；在势垒层、部分本征GaN帽层、阴极欧姆接触、阳极肖特基接触表面淀积绝缘材料，形成钝化层。本发明实施例在势垒层上引入部分本征GaN帽层，并采用阳极欧姆接触与阳极肖特基接触共同组成复合阳极，制备出具有低正向开启电压、高反向击穿电压的GaN基肖特基势垒二极管。

主权项

1.一种部分本征GaN帽层RESURF GaN基肖特基势垒二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：(a)选取衬底层；(b)在所述衬底层上外延GaN材料，形成缓冲层；(c)在所述缓冲层上外延GaN材料，形成沟道层；(d)在所述沟道层上外延AlGaN材料，形成势垒层；(e)在所述势垒层上外延GaN材料，形成顶部本征GaN帽层；(f)刻蚀所述顶部本征GaN帽层，形成部分本征GaN帽层；(g)在所述势垒层上制作阳极欧姆接触和阴极欧姆接触；(h)在所述势垒层上制作阳极肖特基接触；(i)在所述势垒层、所述部分本征GaN帽层、所述阴极欧姆接触、所述阳极肖特基接触表面淀积绝缘介质材料，形成钝化层。