[发明专利]基于场板和P型GaN帽层的RESURF GaN基肖特基势垒二极管

摘要

本发明涉及一种基于场板和P型GaN帽层的RESURF GaN基肖特基势垒二极管，包括：衬底层，所述衬底层上的缓冲层，所述缓冲层上的沟道层，所述沟道层上的势垒层，所述势垒层两端的阴极和复合阳极，与所述复合阳极相连且位于所述势垒层上的P型GaN帽层，与所述复合阳极相连且位于所述P型GaN帽层上的基极，覆盖在所述势垒层、所述P型GaN帽层、所述基极、所述复合阳极、所述阴极上的钝化层，其中，所述阴极为阴极欧姆接触，所述复合阳极包括阳极欧姆接触和阳极肖特基接触。本发明实施例引入P型GaN帽层和基极，并采用复合阳极，制备出具有低正向开启电压、高反向击穿电压的GaN基肖特基势垒二极管。

主权项

1.一种基于场板和P型GaN帽层的RESURF GaN基肖特基势垒二极管，其特征在于，包括：衬底层(201)，所述衬底层(201)上的缓冲层(202)，所述缓冲层(202)上的沟道层(203)，所述沟道层(203)上的势垒层(204)，所述势垒层(204)两端的阴极和复合阳极，与所述复合阳极相连且位于所述势垒层(204)上的P型GaN帽层(206)，与所述复合阳极相连且位于所述P型GaN帽层(206)上的基极(211)，覆盖在所述势垒层(204)、所述P型GaN帽层(206)、所述基极(211)、所述复合阳极、所述阴极上的钝化层(212)，其中，所述阴极为阴极欧姆接触(207)，所述复合阳极包括阳极欧姆接触(208)和阳极肖特基接触(210)。