[发明专利]一种超低功耗基准电路在审
| 申请号： | 201810484353.1 | 申请日： | 2018-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN110502061A | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 陈磊 | 申请（专利权）人： | 丹阳恒芯电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超低功耗基准电路，包括：一启动电路，用于启动所述基准电路；一核心电路，在电流镜结构上优化使用了三支路电流结构，同时选择不同的栅极氧化物厚度MOS管，消除了温度影响，获得稳定的基准电流；一输出电路，串联堆叠晶体管，放大了基准电压。本发明一种超低功耗基准电路，没有采用电阻，也没有采用三极管，全部都是MOS晶体管，拥有面积小，低压和超低功耗等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 超低功耗 基准电路 电流镜结构 堆叠晶体管 栅极氧化物 核心电路 基准电流 基准电压 启动电路 输出电路 温度影响 支路电流 三极管 电阻 串联 放大 优化 | ||
【主权项】：
1.一种超低功耗基准电路，其特征在于，包括：/n一启动电路，用于启动所述基准电路；一核心电路，在电流镜结构上优化使用了三支路电流结构，同时选择不同的栅极氧化物厚度MOS管，消除了温度影响，获得稳定的基准电流；一输出电路，串联堆叠晶体管，最终在基准电流的基础上产生精准的基准电压。/n
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