[发明专利]一种超低功耗基准电路

权利要求书

1.一种超低功耗基准电路，其特征在于，包括：

一启动电路，用于启动所述基准电路；一核心电路，在电流镜结构上优化使用了三支路电流结构，同时选择不同的栅极氧化物厚度MOS管，消除了温度影响，获得稳定的基准电流；一输出电路，串联堆叠晶体管，最终在基准电流的基础上产生精准的基准电压。

2.如权利要求1所述的超低功耗基准电路，其特征在于：所述启动电路由第一PMOS管PM1、第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2和第三NMOS管NM3构成；PM1管的源极连接电源电压VDD；PM1管的的栅极与PM1管的漏极，NM1管的栅极和NM1管的漏极相连接；NM1管的源极与NM2管的栅极和NM3管的漏极相连接；NM2管的源极和NM3管的源极接地。

3.如权利要求1所述的超低功耗基准电路，其特征在于：所述核心电路由第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第五PMOS管PM5、第六PMOS管PM6、第七PMOS管PM7、第十三PMOS管PM13、第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5、第六NMOS管NM6和第七NMOS管NM7构成；PM2管的源极，PM4管的源极和PM6管的源极都与电源电压VDD相连接；PM2管的栅极与PM3管的栅极，PM3管的漏极，NM2管的漏极，NM4管的漏极，PM4管的栅极，PM5管的栅极，PM6管的栅极和PM7管的栅极相连接；PM2管的漏极与PM3管的源极相连接；PM4管的漏极与PM5管的源极相连接；PM6管的漏极与PM7管的源极相连接；PM5管的漏极与NM5管的漏极，NM5管的栅极和NM6管的栅极相连接；PM7管的漏极与NM4管的栅极，NM7管的栅极，NM6管的漏极相连接；NM4管的源极与NM5管的源极和PM13管的源极相连接；NM7管的源极，NM7管的漏极，PM13管的漏极，PM13管的栅极和NM6管的源极都接地。

4.如权利要求1所述的超低功耗基准电路，其特征在于：所述输出电路由第八PMOS管PM8、第九PMOS管PM9、第十PMOS管PM10、第十一PMOS管PM11和第十二PMOS管PM12构成；PM8管的源极连接电源电压VDD；PM8管的栅极与PM2管的栅极和PM9管的栅极相连接；PM8管的漏极与PM9管的源极相连接；PM9管的漏极与PM10管的源极和NM3管的栅极相连接，其节点标注为A，作为基准电压VREF的输出端；PM10管的栅极与PM10管的漏极和PM11管的源极相连接；PM11管的栅极与PM11管的漏极和PM12管的源极相连接；PM12管的栅极和PM12管的漏极都接地。