[发明专利]一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极

摘要

本发明公开了一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极,包括水平设置的气体供给盘，气体供给盘同轴套设有连接环，气体供给盘外壁同轴固接有一号限位环，一号限位环的环体开设有若干一号通孔，连接环内壁同轴固接有二号限位环，二号限位环开设有若干二号通孔，二号通孔与一号通孔位置相对应，一号通孔与二号通孔内共同插设有堵栓，堵栓上端固接有限位块，堵栓的下端开设有三号通孔，三号通孔的开口处均设有限位凸起，三号通孔的两端均设有活动块，三号通孔内设有弹簧，活动块远离弹簧的一端均固接有顶块。本发明中，上部电极中的气体供给盘与连接环为可拆卸连接，从而方便后期更换以及维修，且安装以及拆卸过程都极为简易。

主权项

1.一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极,包括水平设置的气体供给盘（1），所述气体供给盘（1）均匀设有多个气体喷射孔（2），所述气体供给盘（1）同轴套设有连接环（6），所述连接环（6）开设有多个连接孔（9），其特征在于，所述气体供给盘（1）外壁同轴固接有一号限位环（3），所述一号限位环（3）的环体开设有若干一号通孔（4），所述一号通孔（4）纵向设置，所述连接环（6）内壁同轴固接有二号限位环（7），所述二号限位环（7）设置在所述一号限位环（3）下方，所述二号限位环（7）开设有若干二号通孔（8），所述二号通孔（8）与所述一号通孔（4）位置相对应，所述一号通孔（4）与所述二号通孔（8）内共同插设有堵栓（11），所述堵栓（11）上端固接有限位块（12），所述堵栓（11）的下端开设有三号通孔（13），所述三号通孔（13）水平设置，所述三号通孔（13）的开口处均设有限位凸起（14），所述三号通孔（13）的两端均设有活动块（15），所述活动块（15）通过所述限位凸起（14）限位在所述三号通孔（13）内，所述三号通孔（13）内设有弹簧（16），所述弹簧（16）的两端分别与所述活动块（15）接触，所述活动块（15）远离所述弹簧（16）的一端均固接有顶块（17），所述顶块（17）设置在所述二号通孔（8）的下方。