[发明专利]一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极

权利要求书

1.一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极,包括水平设置的气体供给盘（1），所述气体供给盘（1）均匀设有多个气体喷射孔（2），所述气体供给盘（1）同轴套设有连接环（6），所述连接环（6）开设有多个连接孔（9），其特征在于，所述气体供给盘（1）外壁同轴固接有一号限位环（3），所述一号限位环（3）的环体开设有若干一号通孔（4），所述一号通孔（4）纵向设置，所述连接环（6）内壁同轴固接有二号限位环（7），所述二号限位环（7）设置在所述一号限位环（3）下方，所述二号限位环（7）开设有若干二号通孔（8），所述二号通孔（8）与所述一号通孔（4）位置相对应，所述一号通孔（4）与所述二号通孔（8）内共同插设有堵栓（11），所述堵栓（11）上端固接有限位块（12），所述堵栓（11）的下端开设有三号通孔（13），所述三号通孔（13）水平设置，所述三号通孔（13）的开口处均设有限位凸起（14），所述三号通孔（13）的两端均设有活动块（15），所述活动块（15）通过所述限位凸起（14）限位在所述三号通孔（13）内，所述三号通孔（13）内设有弹簧（16），所述弹簧（16）的两端分别与所述活动块（15）接触，所述活动块（15）远离所述弹簧（16）的一端均固接有顶块（17），所述顶块（17）设置在所述二号通孔（8）的下方。

2.根据权利要求1所述的一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极,其特征在于，所述一号通孔（4）以及所述二号通孔（8）均设有四个，所述一号通孔（4）以及所述二号通孔（8）均沿所在环体圆周均匀设置。

3.根据权利要求1所述的一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极,其特征在于，所述一号限位环（3）下端固接有若干凸条（5），所述凸条（5）长度方向与所述一号限位环（3）直径方向一致，所述二号限位环（7）上端开设有若干凹槽（10），所述凸条（5）与所述凹槽（10）相匹配。

4.根据权利要求3所述的一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极,其特征在于，所述凸条（5）以及所述凹槽（10）均为V型。

5.根据权利要求4所述的一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极,其特征在于，所述凸条（5）以及所述凹槽（10）均设有四个，所述凸条（5）以及所述凹槽（10）均沿所在环体圆周均匀设置。

6.根据权利要求1所述的一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极,其特征在于，所述堵栓（11）套设有垫圈（18），所述垫圈（18）设置在所述限位块（12）与所述一号通孔（4）之间。

7.根据权利要求1所述的一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极,其特征在于，所述顶块（17）远离所述二号通孔（8）的一端为光滑的曲面。