[发明专利]OLED封装方法及OLED封装结构有效
| 申请号： | 201810469332.2 | 申请日： | 2018-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN108539057B | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 黄辉 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种OLED封装方法及OLED封装结构。该OLED封装方法通过对形成于OLED器件上的阻挡层进行图案化得到多个凹槽，在多个凹槽中形成表面活性层，然后制作缓冲层，由于表面活性层的作用，使得缓冲层的材料扩散速度加快，且更利于流平，提高缓冲层的膜厚均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲层 封装 表面活性层 封装结构 膜厚均匀性 材料扩散 图案化 阻挡层 流平 制作 | ||
【主权项】：
1.一种OLED封装方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供基板(10)，在所述基板(10)上形成OLED器件(20)；步骤S2、在所述基板(10)上形成覆盖OLED器件(20)的阻挡层(31)，并对阻挡层(31)进行图案化，形成位于阻挡层(31)上的多个凹槽(311)；步骤S3、在多个凹槽(311)中形成表面活性层(32)；步骤S4、在所述阻挡层(31)及表面活性层(32)上形成缓冲层(33)；所述表面活性层(32)的厚度等于凹槽(311)的深度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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