[发明专利]一种芯片加工方法有效
申请号: | 201810467019.5 | 申请日: | 2018-05-16 |
公开(公告)号: | CN108598023B | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 施锦源;汪玉洁;张云鹤 | 申请(专利权)人: | 深圳市信展通电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01J37/32 |
代理公司: | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人: | 谭雪婷;彭西洋 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区福*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明属于半导体工艺技术领域,具体的说是一种芯片加工方法,该方法采用的刻蚀装置包括移动模块、固定板、震动单元、除尘模块、卡紧件和控制器,移动模块通过固定杆固定安装在封闭仓的底板上;固定板通过震动单元固定安装在除尘模块的顶表面;移动模块用于对晶圆进行移位;固定板上固定安装有金属吸盘,金属吸盘用于对晶圆的底表面进行固定;除尘模块用于对晶圆表面的杂质进行清理;卡紧件用于对除尘模块进行限位;本发明主要用于对晶圆进行刻蚀,能够提高晶圆的刻蚀精度,能够对晶圆中被夹持部件遮挡的部位进行刻蚀;提高了晶圆的刻蚀效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 芯片 加工 方法 | ||
【主权项】:
1.一种芯片加工方法,其特征在于:该方法包括如下步骤:步骤一:将硅溶液中的单晶硅棒切割成晶圆;步骤二:将步骤一中的晶圆表面涂敷光刻胶;步骤三:对经过步骤二处理后的晶圆进行光刻胶显影;步骤四:将步骤三处理后的晶圆放入到刻蚀装置中进行刻蚀;步骤五:将步骤四处理后的晶圆送入到离子注入机进行离子注入;步骤六:将步骤五中的晶圆送入化学气相沉积设备中反应;步骤七:对步骤六处理后的晶圆表面进行金属化处理,晶圆表面形成电路;其中,该方法步骤四中采用的刻蚀装置包括封闭仓(1)、激发线圈(11)、偏压装置(12)、移动模块(2)、固定板(14)、震动单元(15)、除尘模块(3)、卡紧件(16)和控制器,所述封闭仓(1)的顶板上设有气体注入口(13),所述移动模块(2)通过固定杆(21)固定安装在封闭仓(1)的底板上;所述固定板(14)通过震动单元(15)固定安装在除尘模块(3)的顶表面;所述移动模块(2)用于对晶圆(6)进行移位;所述固定板(14)上固定安装有金属吸盘(141),金属吸盘(141)用于对晶圆(6)的底表面进行固定;所述除尘模块(3)用于对晶圆(6)表面的杂质进行清理;所述卡紧件(16)用于对除尘模块(3)进行限位;所述控制器用于控制移动模块(2)、震动单元(15)、除尘模块(3)和卡紧件(16)的工作;其中,所述移动模块(2)包括一号圆筒(22)、一号安装板(23)、一号固定架(24)、三号气压杆(25)、一号滑块(26)和一号吸取装置(27);所述一号圆筒(22)通过一号安装板(23)固定安装在固定杆(21)上;所述一号圆筒(22)的内壁顶部设有一号滑轨(28);所述一号固定架(24)通过一号滑块(26)在一号滑轨(28)中运动,一号固定架(24)通过三号气压杆(25)来与一号吸取装置(27)固定连接;所述一号吸取装置(27)的数量为四个,四个一号吸取装置(27)配合用于使晶圆(6)转动;所述一号安装板(23)为圆环形安装板,一号安装板(23)的内壁上设有二号滑轨(29);所述除尘模块(3)上设有二号滑块(31),二号滑块(31)通过与二号滑轨(29)配合来使除尘模块(3)自转。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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