[发明专利]一种芯片加工方法

说明书

本发明属于半导体工艺技术领域，具体的说是一种芯片加工方法，该方法采用的刻蚀装置包括移动模块、固定板、震动单元、除尘模块、卡紧件和控制器，移动模块通过固定杆固定安装在封闭仓的底板上；固定板通过震动单元固定安装在除尘模块的顶表面；移动模块用于对晶圆进行移位；固定板上固定安装有金属吸盘，金属吸盘用于对晶圆的底表面进行固定；除尘模块用于对晶圆表面的杂质进行清理；卡紧件用于对除尘模块进行限位；本发明主要用于对晶圆进行刻蚀,能够提高晶圆的刻蚀精度，能够对晶圆中被夹持部件遮挡的部位进行刻蚀；提高了晶圆的刻蚀效率。

技术领域

本发明属于半导体工艺技术领域，具体的说是一种芯片加工方法。

背景技术

半导体芯片，在半导体片材上进行浸蚀，布线，制成的能实现某种功能的半导体器件。不只是硅芯片，常见的还包括砷化镓，锗等半导体材料。半导体芯片生产过程中，刻蚀工艺的过程为对所需刻蚀材料进行曝光显影然后等离子体刻蚀。其中等离子体刻蚀步骤中，是利用Al、Si等刻蚀材料的反应产物，例如AlCl3、SiF4等的挥发特性实现的。传统的刻蚀工艺中对晶圆夹持固定时，会造成晶圆被遮挡的表面无法刻蚀，同时晶圆刻蚀后残留的杂质难以及时去除，导致晶圆表面不整洁，同时对晶圆后续的溅射镀膜工艺造成影响。

现有技术中也出现了一种刻蚀装置的技术方案，如申请号为201410356255.1的一项中国专利公开了一种刻蚀装置及刻蚀方法。其中刻蚀装置包括：反应腔；晶圆固定装置，晶圆固定装置用于将晶圆固定在反应腔的顶部且晶圆的待刻蚀面朝向反应腔的底部；气体注入口，气体注入口设置在反应腔底部，用于向反应腔通入刻蚀气体；激励线圈，激励线圈环绕反应腔设置，用于将刻蚀气体激发成等离子体；以及偏压提供装置，偏压提供装置与晶圆固定装置相连，用于对晶圆固定装置中的晶圆施加偏压。该技术方案虽然能够对晶圆表面进行刻蚀，能够将刻蚀后的杂质抽离；但是该技术方案不能够对晶圆夹持遮挡的部位进行刻蚀；同时该技术方案中晶圆不便于固定，影响了晶圆刻蚀精度；使得该发明受到了限制。

发明内容

为了弥补现有技术的不足，本发明提出了一种芯片加工方法，本发明主要用于对晶圆进行刻蚀,能够提高晶圆的刻蚀精度，能够对晶圆中被夹持部件遮挡的部位进行刻蚀；本发明采用的刻蚀装置中，通过移动模块与固定板配合来对晶圆进行固定，通过震动单元和除尘模块配合来对晶圆表面的杂质进行抽离；提高了晶圆的刻蚀效率。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：本发明提出了一种芯片加工方法，该方法包括如下步骤：

步骤一：将硅溶液中的单晶硅棒切割成晶圆；

步骤二：将步骤一中的晶圆表面涂敷光刻胶；

步骤三：对经过步骤二处理后的晶圆进行光刻胶显影；

步骤四：将步骤三处理后的晶圆放入到刻蚀装置中进行刻蚀；

步骤五：将步骤四处理后的晶圆送入到离子注入机进行离子注入；

步骤六：将步骤五中的晶圆送入化学气相沉积设备中反应；

步骤七：对步骤六处理后的晶圆表面进行金属化处理，晶圆表面形成电路；

其中，该方法步骤四中采用的刻蚀装置包括封闭仓、激发线圈和偏压装置，封闭仓的顶板上设有气体注入口；其中，封闭仓、激发线圈和偏压装置不是本发明的创新之处，在此不作赘述；还包括移动模块、固定板、震动单元、除尘模块、卡紧件和控制器，所述移动模块通过固定杆固定安装在封闭仓的底板上；所述固定板通过震动单元固定安装在除尘模块的顶表面；所述移动模块用于对晶圆进行移位；所述固定板上固定安装有金属吸盘，金属吸盘用于对晶圆的底表面进行固定；所述除尘模块用于对晶圆表面的杂质进行清理；所述卡紧件用于对除尘模块进行限位；所述控制器用于控制移动模块、震动单元、除尘模块和卡紧件的工作；