[发明专利]一种双异质结钙钛矿光电器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201810466984.0 | 申请日： | 2018-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN108682747B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 贾仁需;李欢;汪钰成;庞体强 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/46;H01L51/42;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王海栋 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种双异质结钙钛矿光电器件及其制备方法，所述制备方法包括：选取Si衬底；在Si衬底的一侧表面沉积金属Al形成下电极；在Si衬底的另一侧表面沉积金属氧化物形成界面缓冲层；在界面缓冲层上沉积CH |
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| 搜索关键词： | 一种 双异质结钙钛矿 光电 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双异质结钙钛矿光电器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：选取Si衬底；在所述Si衬底的一侧表面沉积金属Al形成下电极；在所述Si衬底的另一侧表面沉积金属氧化物形成界面缓冲层；在所述界面缓冲层上沉积CH3NH3PbI3形成光吸收层；在所述光吸收层上沉积金属Au形成上电极，并最终生成双异质结钙钛矿光电器件。
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