[发明专利]集成电路器件在审
| 申请号： | 201810466717.3 | 申请日： | 2018-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN109545772A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 安浚爀;金恩靓;金熙中;李基硕;金奉秀;李明东;韩成熙;黄有商 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种集成电路器件可以包括成对的线结构。每对线结构可以包括在第一水平方向上在衬底之上延伸的一对导电线、以及分别覆盖一对导电线的一对绝缘盖图案。集成电路器件可以包括在成对的线结构之间的导电插塞、以及在成对的绝缘盖图案之间接触导电插塞的顶表面的金属硅化物膜。在垂直于第一水平方向的第二水平方向上，导电插塞可以在成对的导电线之间具有第一宽度并在成对的绝缘盖图案之间具有第二宽度，其中第二宽度大于第一宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 成对的 集成电路器件 导电线 绝缘盖 导电插塞 线结构 图案 金属硅化物膜 接触导电 顶表面 插塞 衬底 对线 垂直 延伸 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路器件，包括：成对的线结构，所述成对的线结构包括：在第一水平方向上在衬底之上延伸的成对的导电线，以及分别覆盖所述成对的导电线的成对的绝缘盖图案；导电插塞，其在所述成对的线结构之间，所述导电插塞在所述成对的导电线之间具有第一宽度并且在所述成对的绝缘盖图案之间具有第二宽度，所述第一宽度和所述第二宽度在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上，所述第二宽度大于所述第一宽度；以及金属硅化物膜，其在所述成对的绝缘盖图案之间接触所述导电插塞的顶表面。
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