[发明专利]三维存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201810466713.5 | 申请日： | 2018-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN108550579B | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 周全 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种三维存储器及其制造方法，该三维存储器包括衬底，形成在所述衬底上的沿与所述衬底垂直的方向交替层叠的导电层和绝缘层，沿与所述衬底垂直的方向贯穿所述交替层叠的导电层和绝缘层的沟道孔，以及形成在所述沟道孔内的存储串；所述存储串包括沿所述沟道孔的侧壁到轴心的方向依次形成的电荷存储层和沟道层，所述沟道层具有p型掺杂区，该p型掺杂区与所述衬底直接接触，所述衬底为p型衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 三维存储器 沟道 绝缘层 交替层叠 垂直的 导电层 沟道层 存储 电荷存储层 侧壁 制造 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器，其特征在于，包括衬底，形成在所述衬底上的沿与所述衬底垂直的方向交替层叠的导电层和绝缘层，沿与所述衬底垂直的方向贯穿所述交替层叠的导电层和绝缘层的沟道孔，以及形成在所述沟道孔内的存储串；所述存储串包括沿所述沟道孔的侧壁到轴心的方向依次形成的电荷存储层和沟道层，所述衬底为p型衬底，所述沟道层具有p型掺杂区，该p型掺杂区与所述衬底直接接触来构成底部选择晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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