[发明专利]一种浮栅结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201810456516.5 | 申请日： | 2018-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN108447900A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 曹开玮 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种浮栅结构，包括：衬底；阵列式的多个浮栅单元结构，形成于衬底的上表面；浅槽隔离结构，形成于浮栅单元结构之间并延伸至衬底中，用于将相邻的浮栅单元结构隔离开；其中，每个浮栅单元结构的顶部形成有一凹槽；以及一种浮栅结构的制备方法；能够在形成的每个浮栅单元结构的顶部形成凹槽，从而扩大每个浮栅单元结构的顶部的电容藕荷率。 | ||
| 搜索关键词： | 单元结构 浮栅 浮栅结构 衬底 制备 半导体技术领域 浅槽隔离结构 电容 上表面 阵列式 隔离 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种浮栅结构，其特征在于，包括：衬底；阵列式的多个浮栅单元结构，形成于所述衬底的上表面；浅槽隔离结构，形成于所述浮栅单元结构之间并延伸至所述衬底中，用于将相邻的所述浮栅单元结构隔离开；其中，每个所述浮栅单元结构的顶部形成有一凹槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810456516.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种氮化镓功率器件及其制作方法
- 下一篇：一种抗总剂量辐射PNP晶体管结构
- 同类专利
- 专利分类
