[发明专利]沟槽金氧半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810454543.9 | 申请日： | 2018-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN109904232A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 陈劲甫 | 申请（专利权）人： | 力祥半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 吴志红;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沟槽金氧半导体元件及其制造方法，其中所述沟槽金氧半导体元件包括基底、第一介电层、第一下部电极、第二下部电极、第一上部电极与第二上部电极。基底具有沟槽。沟槽具有彼此相对的第一侧壁与第二侧壁。第一介电层设置于沟槽的表面上。第一介电层的顶部低于沟槽的顶部。第一下部电极设置于位在第一侧壁上的第一介电层上。第二下部电极设置于位在第二侧壁上的第一介电层上。第一上部电极设置于第一介电层上方的第一侧壁上。第二上部电极设置于第一介电层上方的第二侧壁上。第一下部电极、第二下部电极、第一上部电极、第二上部电极与基底于沟槽中彼此电性绝缘。所述沟槽金氧半导体元件可有效地减少处理数并降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 上部电极 下部电极 金氧半导体元件 第二侧壁 第一侧壁 基底 有效地减少 彼此电性 彼此相对 制造成本 绝缘 制造 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽金氧半导体元件，其特征在于，包括：基底，具有沟槽，且所述沟槽具有彼此相对的第一侧壁与第二侧壁；第一介电层，设置于所述沟槽的表面上，其中所述第一介电层的顶部低于所述沟槽的顶部；第一下部电极，设置于位在所述第一侧壁上的所述第一介电层上；第二下部电极，设置于位在所述第二侧壁上的所述第一介电层上；第一上部电极，设置于所述第一介电层上方的所述第一侧壁上；以及第二上部电极，设置于所述第一介电层上方的所述第二侧壁上，其中所述第一下部电极、所述第二下部电极、所述第一上部电极、所述第二上部电极与所述基底于所述沟槽中彼此电性绝缘。
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