[发明专利]图像传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201810454469.0 | 申请日： | 2018-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN108428712A | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 柯天麒;汤茂亮 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及图像传感器及其制造方法。其中一个实施例提供了一种图像传感器，其包括：形成在衬底中的光电二极管，所述光电二极管包括从所述衬底的正面延伸到所述衬底中的N型区；以及电介质层，放置在所述衬底的正面之上，并且在与所述衬底的正面平行的平面图中与所述N型区的至少一部分重叠，其中所述电介质层被配置为带有负电荷，以使得在所述N型区的位于所述电介质层下方的区域处形成带有正电荷的感应区域。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 图像传感器 电介质层 光电二极管 感应区域 负电荷 正电荷 制造 平行 延伸 配置 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：形成在衬底中的光电二极管，所述光电二极管包括从所述衬底的正面延伸到所述衬底中的N型区；以及电介质层，放置在所述衬底的正面之上，并且在与所述衬底的正面平行的平面图中与所述N型区的至少一部分重叠，其中所述电介质层被配置为带有负电荷，以使得在所述N型区的位于所述电介质层下方的区域处形成带有正电荷的感应区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
