[发明专利]改善原子层沉积膜厚均匀度的方法和用于承载晶圆的晶舟有效
申请号: | 201810446713.9 | 申请日: | 2018-05-11 |
公开(公告)号: | CN108624867B | 公开(公告)日: | 2023-09-26 |
发明(设计)人: | 请求不公布姓名 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/455 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 张臻贤;武晨燕 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种改善原子层沉积膜厚均匀度的方法、电容器的制造方法、用于承载晶圆的晶舟及原子层沉积炉管,其中改善原子层沉积膜厚均匀度的方法,包括:提供用于承载晶圆的晶舟,包括将顶部稳流件可抽取式地插入第一凹槽,以在顶盖与晶圆之间形成阻挡;将底部稳流件可抽取式插入第二凹槽,以在底座和晶圆之间形成阻挡;装载多个晶圆在装载架中,包括将多个晶圆中的每一个可抽取式插入第三凹槽;进行原子层沉积工艺,包括由原子层沉积炉管的气体注射器排入制程气体,经由所述晶舟沉积于多个晶圆以形成薄膜,顶部稳流件和底部稳流件改善制程气体在晶舟的顶部和底部的气体流布均匀度。本发明可以改善沉积膜厚均匀度,降低微尘污染,并提升良率。 | ||
搜索关键词: | 改善 原子 沉积 均匀 方法 用于 承载 | ||
【主权项】:
1.一种改善原子层沉积膜厚均匀度的方法,其特征在于,包括:提供用于承载晶圆的晶舟;其中,所述晶舟包括装载架,具有位于顶部的顶盖、位于底部的底座,及多根竖直连接于所述顶盖的外周和所述底座的外周之间的连接柱,所述连接柱的内壁开设有第一凹槽、第二凹槽及多个第三凹槽,所述第一凹槽位于所述连接柱的顶部;所述第二凹槽,位于所述连接柱的底部;所述第三凹槽位于所述第一凹槽和所述第二凹槽之间,用于插入所述晶圆,所述晶舟还包括顶部稳流件及底部稳流件,所述顶部稳流件可抽取式地插入所述第一凹槽,以在所述顶盖与所述晶圆之间形成阻挡;所述底部稳流件可抽取式插入所述第二凹槽,以在所述底座和所述晶圆之间形成阻挡,其中,所述顶盖、所述顶部稳流件、所述底部稳流件和所述底座平行设置;装载多个晶圆在所述装载架中,包括将所述多个晶圆中的每一个可抽取式插入所述第三凹槽;进行原子层沉积工艺,包括由原子层沉积炉管的气体注射器排入制程气体,所述制程气体经由所述晶舟沉积于所述多个晶圆以形成薄膜,所述顶部稳流件和所述底部稳流件改善所述制程气体在所述晶舟的顶部和底部的气体流布均匀度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司,未经长鑫存储技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810446713.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:气体供给构件和气体处理装置
- 下一篇:刀具承载台及刀具加工装置
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的