[发明专利]制造半导体装置的方法

摘要

本发明公开了一种制造半导体装置的方法，包括在基板上形成第一图案化目标层，其中第一图案化目标层具有沿着第一方向延伸的多个第一开口；在第一图案化目标层之上形成图案化硬遮罩层，其中图案化硬遮罩层具有沿着第二方向延伸的多个第一凹槽和沿着第一方向延伸的多个第二凹槽；在图案化硬遮罩层之上形成图案化光阻层，其中图案化光阻层具有沿着第二方向延伸的多个条状结构和沿着第一方向延伸的多个块状结构；以及蚀刻图案化光阻层、图案化硬遮罩层、以及第一图案化目标层以形成第二图案化目标层。本发明的方法具有成本效益且能在目标层形成精细的图案。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括以下操作：在具有第一区域和第二区域的基板上形成第一图案化目标层，其中所述第一图案化目标层具有沿着第一方向延伸的多个第一开口在所述第一区域中，且所述多个第一开口暴露出所述基板的一部分；在所述第一图案化目标层之上形成图案化硬遮罩层，其中所述图案化硬遮罩层具有沿着第二方向延伸的多个第一凹槽在第一区域中和沿着所述第一方向延伸的多个第二凹槽在第二区域中；在所述图案化硬遮罩层之上形成图案化光阻层，其中所述图案化光阻层具有沿着所述第二方向延伸的多个条状结构在所述第一区域中和沿着所述第一方向延伸的多个块状结构在所述第二区域中；以及通过使用所述图案化硬遮罩层和所述图案化光阻层作为蚀刻遮罩，蚀刻所述图案化光阻层、所述图案化硬遮罩层、以及所述第一图案化目标层以形成第二图案化目标层。