[发明专利]一种协助铜催化腐蚀制备黑硅的方法

摘要

本发明涉及一种协助铜催化腐蚀制备黑硅的方法，其包括如下步骤：(1)用化学溶液腐蚀法去除硅片表面损伤层；(2)将硅片置入金属催化腐蚀溶液中腐蚀2～30min；(3)采用清洗剂去除硅片表面残留的金属颗粒。其特征在于金属催化腐蚀液的成份为：硝酸铜0.005‑0.1mmol/L，硫酸镍0.005‑0.1mmol/L，氧化剂1‑8mol/L，氢氟酸1‑10mol/L，去离子水。本发明所提供的镍协助铜催化腐蚀制备黑硅一步法的工艺简单，时间短，无需加热，有利于降低生产成本，可用于晶硅太阳电池规模化制绒。

主权项

1.一种协助铜催化腐蚀制备黑硅的方法，其特征在于该方法包括如下步骤：(1)将晶硅片浸入碱溶液或酸溶液中，腐蚀去除单晶硅或者多晶硅片的表面损伤层；(2)将去除损伤层的晶硅片置入协助铜催化腐溶液中，制得表面带有纳米陷光结构的黑硅。(3)将制得的黑硅片置入清洗剂中清洗去除残留金属，再用去离子水清洗。