[发明专利]一种协助铜催化腐蚀制备黑硅的方法

权利要求书

1.一种协助铜催化腐蚀制备黑硅的方法，其特征在于该方法包括如下步骤：

(1)将晶硅片浸入碱溶液或酸溶液中，腐蚀去除单晶硅或者多晶硅片的表面损伤层；

(2)将去除损伤层的晶硅片置入协助铜催化腐溶液中，制得表面带有纳米陷光结构的黑硅。

(3)将制得的黑硅片置入清洗剂中清洗去除残留金属，再用去离子水清洗。

2.根据权利要求1所述的一种协助铜催化腐蚀制备黑硅的方法，其特征在于：步骤(1)的碱溶液为氢氧化钠或氢氧化钾，质量百分比浓度为15-30％，工作温度为80℃，时间为5-10min，腐蚀后用去离子水冲洗30s。

3.根据权利要求1所述的一种协助铜催化腐蚀制备黑硅的方法，其特征在于：步骤(1)的酸溶液为硝酸和过氧化氢的混合液，溶液中硝酸和过氧化氢的质量比为1∶(1-3)，工作温度为0-20℃，时间为30-300秒，腐蚀后用去离子水冲洗30s。

4.根据权利要求1所述的一种协助铜催化腐蚀制备黑硅的方法，其特征在于：步骤(2)的催化腐蚀溶液含有硝酸铜，硫酸镍，过氧化氢、氢氟酸和去离子水。

5.根据权利要求1所述的一种协助铜催化腐蚀制备黑硅的方法，其特征在于：步骤(2)的催化腐蚀溶液中各种组份的范围分别为硝酸铜0.005-0.1mmol/L，硫酸镍0.005-0.1mmol/L，过氧化氢1-8mol/L，氢氟酸1-10mol/L。

6.根据权利要求1所述的一种协助铜催化腐蚀制备黑硅的方法，其特征在于：步骤(2)的催化腐蚀溶液温度为25～80℃，时间2-30min。

7.根据权利要求1所述的一种协助铜催化腐蚀制备黑硅的方法，其特征在于：步骤(3)的清洗剂为5wt.％NH₃·H₂O+5wt.％H₂O₂+H₂O，同时加超声振动。