[发明专利]晶体管结构、存储器结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201810433131.7 | 申请日： | 2018-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN108389837B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体管结构、存储器结构及其制备方法，包括如下步骤：1）提供一半导体衬底，并于半导体衬底内形成沟槽结构；2）采用原子层沉积工艺于沟槽结构的底部及侧壁形成第一栅氧化层；3）用原位水汽生成工艺于第一栅氧化层表面形成第二栅氧化层；4）于栅氧化层的底部及局部侧壁形成导电层；5）于沟槽结构内形成填孔绝缘层，填孔绝缘层填满沟槽结构；6）于沟槽结构两侧的半导体衬底内分别形成源区及漏区。本发明的晶体管结构通过将栅氧化层设置为位于沟槽结构底部的栅氧化层的厚度小于位于沟槽结构侧壁的栅氧化层的厚度的结构，可以显著减小栅诱导漏极泄漏电流，进而提升器件的整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管结构的制备方法，其特征在于，所述晶体管结构包括如下步骤：1)提供一半导体衬底，并于所述半导体衬底内形成沟槽结构；2)采用原子层沉积工艺于所述沟槽结构的底部及侧壁形成第一栅氧化层，位于所述沟槽结构底部的所述第一栅氧化层与位于所述沟槽结构侧壁的所述第一栅氧化层具有概呈相同的厚度；3)采用原位水汽生成工艺于所述第一栅氧化层表面形成第二栅氧化层，位于所述沟槽结构底部的所述第二栅氧化层的厚度小于位于所述沟槽结构侧壁的所述第二栅氧化层的厚度；所述第一栅氧化层与所述第二栅氧化层共同构成一双层结构的栅氧化层；4)于所述栅氧化层的底部及局部侧壁形成导电层，其中，所述导电层的顶端低于所述半导体衬底的上表面；5)于所述沟槽结构内形成填孔绝缘层，所述填孔绝缘层填满所述沟槽结构；及，6)于所述沟槽结构两侧的所述半导体衬底内分别形成源区及漏区。
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